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近日，Applied Physics Letters在线发表了好色tv朱永丹博士在阻变存储器领域最新研究成果：Resistive switching and photovoltaic response characteristics for the BaTiO3/Nb:SrTiO3 heterostructure, Appl. Phys. Lett. 120, 103504 (2022)，这也是继朱永丹博士2021年发表Study of resistive switching, photoresponse, and magnetism modulation in the Pt/Co3O4/Nb:SrTiO3 heterostructure, Appl. Phys. Lett. 118, 153501 (2021)的又一力作。

在大数据和人工智能的全面发展时代，信息存储与数据计算所依赖的高性能存储器凭借其高密度、高速度、低功耗、可叁维集成等优势成为学术界和产业界的研究热点。朱永丹博士利用脉冲激光沉积制备笔迟/叠补罢颈翱3/狈产:厂谤罢颈翱3和笔迟/颁辞3翱4/狈产:厂谤罢颈翱3相关器件，测试其稳定性、开关比和多级阻变性能，提出利用阻变可调控本征物性，同时利用光照可调控阻变性能，这为阻变研究增加了新的维度，为进一步明晰阻变机制以及多维存储提供了新的思路。

上述工作获得国家自然科学基金（11964009）的资助。

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